Leaderboard

Немного о поисках аналога 505РУ1. Что известно про 505РУ1: 505РУ1 ОЗУ динамического типа 256 бит (256х1) Напряжение питания, VCC –27 В Напряжение логического нуля, U0 –2 B Напряжение логической единицы, U1 –10 B Потребляемая мощность, Р 250 мВт Время считывания, t 800 нс Тип корпуса 402.16-1 То есть используемая технология это голимый p-МОП. Из американской прессы конца 60-х начала 70-х годов выясняется, что динамическую память (ячейка на одном МОП-транзисторе) изобрел в 1966 году доктор Роберт Деннард из IBM, который получил на нее патент в 1967. Первый чип MOS DRAM был разработан в 1969 году компанией Advanced Memory Systems, Inc из Саннивейла, Калифорния. Дизайн этого 1024-битного чипа был продан компаниям Honeywell, Raytheon, Wang Laboratories и другим. В том же году Honeywell попросила технологического лидера Intel создать DRAM на основе разработанной ей трехтранзисторной ячейки. И Intel в начале 1970 года создал чип типа 1102. Однако у чипа 1102 имелось много технологических проблем, что побудило Intel начать работу над собственной улучшенной конструкцией трехтранзисторной ячейки в секрете, чтобы избежать конфликта с Honeywell (говоря проще, кинул Intel доверчивую Honeywell. Ну, не могут они без воровства, тото Украина так к США тянется). Таким образом в октябре 1970 года первой коммерчески доступной DRAM стал чип Intel 1103 (ячейка на трех МОП-транзисторах) емкостью 1024 бит (1024х1). Полученные такими компаниями как Mostek и TI в 1968 году чипы ОЗУ на однотранзисторных ячейках емкостью 256 бит (256х1) не являются динамической памятью, а классифицируются как HS RAM, т.е. High Speed RAM и являются структурами статического типа. Как раз HS RAM от TI TMS4003 и указали киевляне в качестве дезы-аналога 505РУ1. Первый чип MOS DRAM от Mostek на однотранзисторных ячейках типа MK4008 имел емкость 1024 бит (1024х1) и как раз этот чип является аналогом 505РУ2. Этот чип разваривался в корпус с 24 выводами. Но в том же судьбоносном для динамического ОЗУ 1969 году мелькнул чип MOS DRAM емкостью 256 бит (256х1). Это Mostek типа MK4007 и как раз в корпусе 16 выводами, совместимый по выводам с популярным p-MOS SRAM от Intel типа 1101A. Но чип от Mostek имел два питания, одно из которых +5 В для совместимости с ТТЛ и ДТЛ логикой. У 505РУ1 одно питание –27 В и нет никакой совместимости со стандартной логикой. Вывод будет таков. Либо 505РУ1 это украинская технологическая отсебятина, сделанная по с трудом освоенной p-МОП технологии (–27 В) и со структурой и цоколевкой MK4007 (к сожалению цоколевки 505РУ1 нет и сравнить невозможно), но это маловероятно. Либо все-таки имелся прямой p-MOS DRAM аналог, емкостью 256 бит (256х1), который пока не найден. Временной интервал появления аналога для американских компаний это 1969 год, скорее первая его половина. Возможно это продукт японских компаний, которые в те времена отставали от американских примерно на 5 лет и до 1975 года очень любили p-MOS технологию. В имеющемся у меня каталоге NEC Electronics Data Book 1969 ничего подобного нет, хотя имеются простейшие логические p-MOS чипы. А в каталоге Hitachi Integrated Circuits 1972 уже имеются p-MOS регистры сдвига. Но уже в каталоге Hitachi Full Line Condensed Catalog 1982 самая маленькая DRAM имеет емкость 4k и это CMOS.

ФД-271