Всякая всячина от Checha

[checha 410]

20 часов назад, 1Ж24Б сказал:

7) связь калькулятора "Искра-112" с "Элка-42С".

 Документов по этой теме немного. Но это однозначно. Сейчас посмотрю, чем могу поделиться.

Всё время мечтаю почитать болгарские документы по теме. Да где там......

[checha 410]

[checha 410]

[checha 410]

 

 

История с разработкой и поставкой в СССР этой самой Элки 42с, судя по отрывкам из документов, тянулась достаточно долго. С  1970 года. Поэтому наши и сами всё сделали, без болгар с их 3-мя СБИС. У нас из них сделали 4 СБИС. Чтоб никто не догадался. Надо отдать должное создателям такой легенды - десятилетия нам это внушали специалисты самых разных мастей.

 

Где то есть у меня записи с экономикой вопросов промышленного производства калькуляторов на мелкой, средней логике и СБИС. Всё просчитывалось и для всего была своя ниша. Собственно, как и у америкосов с болгарами. Они ведь тоже достаточно долго выпускали Элку 42 (без С) на 22 (или 23) БИС. Ну, как Боб Норманн завещал.))))

[Виктор 136]

НМЛ болгарские, Перфораторы польские. Микросхемы советские.)))

 

[1Ж24Б 57]

23 часа назад, checha сказал:

 

Ещё масса полезных оптических установок с возможностью послойного шлифования и фотографирования из ГДР.  Ой, что это я. Бред какой то пишу.

Кто-нибудь может объяснить, как выглядели и работали подобные установки ? "Послойное шлифование" это снятие менее 1 мкм кремния с кристалла ?

 

Возвращаясь к калькуляторам. Не нашёл сведений про такую занятную микросхему, как "МГС", дополняющую четыре БИС (БИС-11... БИС-14) от ЛКБ ? Когда-то специально вскрывал и срисовывал эл. схему, потом на форуме поняли что это дополнительная ИС для правильной работы калькулятора.

Есть ли зацепки по разработке более сложных (тригонометрия и пр.) в КНИИМП и ЛКБ ? Или как занялись однокристальными, вроде К145ИК1 (воспроизведение MK5010) ?

 

П.С.: вы уж извините, новая информация порождает всё новые и новые вопросы)

П.П.С.: насчёт корпусов. Есть одна странность с металлокерамическими, выпущенными примерно в 1974-1975 годах - они не совсем монолитные, а спаяны стеклянным припоем (?) из двух половинок. Под микроскопом замечательно видно отсутствие золочения на участках дорожек, выходящей наружу из-за растекания "стекла". Наблюдал на К145ИК1 и К169КТ1 (корпус как у 142ЕН1). Не это ли корпуса с "Ангстрема" ?

[checha 410]

10 часов назад, 1Ж24Б сказал:

Кто-нибудь может объяснить, как выглядели и работали подобные установки ? "Послойное шлифование" это снятие менее 1 мкм кремния с кристалла ?

 

Имел счастье видеть подобное, но, тема была не интересна совсем. Молодой был, - другие интересы. Мне даже объясняли, как она работает. Мимо ушей всё было. Видел в организации, у которой сохранились остатки оборудования с КБПМ (Дельты). В Москве.

 

Так, по делу. Две основных операции - шлифовка и фотосъёмка при большом увеличении. Думаю, сейчас уже электронную микроскопию для этого применяют. В 70-е, предположу, что немецкой оптики вполне достаточно было. Хотя электронные микроскопы, и тогда - не проблема.

С оптической частью понятно.

 

Шлифовка может быть механической, - не наш вариант, загрязнение. Электрохимическая, - нужна операция промывки, усложнение процесса. Ну и плазменная, - само то, что надо. Чисто и без грязи, с заданным (любым, в мкм) размером глубины.

 

Все три вида уже применялись в технологическом оборудовании тогда для обработки пластин в КБПМ в Москве и КБТМ в Минске. Единственное - плазменный метод только отрабатывали.

Возможно применил не стандартные наименования, но думаю, суть изложил,

 

 

10 часов назад, 1Ж24Б сказал:

Не нашёл сведений про такую занятную микросхему, как "МГС", дополняющую четыре БИС (БИС-11... БИС-14) от ЛКБ ?

 

Тоже не нашёл, видимо какие то проблемы технологий помешали поначалу. Например, низкая скорость работы получаемых структур или проблемы отвода тепла именно от этой функциональной части схемы. Собственно, это тоже проблемы структур. Может, в схемотехнике накосячили и исправляли. Пусть специалисты поправят, не силён.. Поэтому вынесли в отдельную микросхему.

У Боба Норманна таких заплаток не было, почему-то.

[checha 410]

10 часов назад, 1Ж24Б сказал:

Есть ли зацепки по разработке более сложных (тригонометрия и пр.) в КНИИМП и ЛКБ ? Или как занялись однокристальными, вроде К145ИК1 (воспроизведение MK5010) ?

 

Этой самый интересный вопрос. Вы, уважаемый Александр, смотрите прям в корень. Как я осторожно предполагаю, на сегодня, именно разработкой математики (проверкой функционирования) таких отдельно взятых ( и в комплекте, если надо) СБИС занимались не в ЛКБ или КНИИМП с НИИМЭ.

Для этих целей указом правительства была подключена специализированная структура, не из МЭП.

Но это совсем другая история

[checha 410]

10 часов назад, 1Ж24Б сказал:

Наблюдал на К145ИК1 и К169КТ1 (корпус как у 142ЕН1). Не это ли корпуса с "Ангстрема" ?

Скорее всего. И по срокам поставки и запуска оборудования в Йошкар-Олу бьётся.

[Виктор 136]

Не стал новую тему создавать. Фотографии не мои, поэтому только три.

 

 

 

 

 

В эти времена уже пошли автоматические линии. 

Чувак, который ездил туда ранее, застал выдувание колб вручную.

[Виктор 136]

18 часов назад, 1Ж24Б сказал:

Наблюдал на К145ИК1 и К169КТ1 (корпус как у 142ЕН1).

 

У К145ИК1 корпус с 48 ногами.

[RCgoff 6]

В 04.11.2023 в 13:45, checha сказал:

Мои исследования. Завершение по МОП схемам.

 

МОП.pdf

В статье указано:

"НИПКИЭК — Центральный НИИ элементов под руководством Антонова и Касабова. Институт занимался исключительно разработкой больших МОПмикросхем УНИМОС для калькуляторов, удивительным образом внешне и функционально напоминающих изделия американской компании GM-e, разработанные за несколько лет до этого."

 

1. Это два разных института.НИПКИЭК - научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт по электронным калькуляторам (директор Антонов) и центральный НИИ элементов (директор Касабов)

2. Болгарская технология была оригинальной. У них были диффузные резисторы в нагрузке инвертора и затворы из W-Au, а не алюминиевые.

 

По этой ссылке: http://spisanie-nauka.bg/arhiv/4-2019.pdf размещен болгарский журнал "Наука", №4, 2019, где на стр. 64 размещена интересная статья по ранней истории болгарской электроники. Рекомендую! Со ссылками на оригинальные публикации (эх, посмотреть бы их)

Цитата

На такъв етап не е възможно да се ползва информация от литературни източници и предложените технологични решения са оригинални, съобразени с възможностите на оборудването и техническата инфраструктура в страната. Разработката на първите интегрални схеми с малка и средна степен на интеграция се реализира с оригинална българска технология за p-канални МОС транзистори на базата на два съществени научни приноси на Йордан Касабов, а именно:

 

• Технология за високоомни микрорезистори, които се използват като товарен елемент в инвертора.

• Въвеждане на двуслойната система волфрам-злато (W-Au) като гейтов електрод и метални проводящи шини.

 

Идеята да се ползва високоомен дифузионен микрорезистор е компромисен вариант, позволяващ намаляване с повече от два пъти площта на областите с гейтов диелектрик, което при тогавашното технологично ниво съществено подобрява рандемана на производство, стабилността и надеждността на МОС ИС. Друго предимство на микрорезисторите е възможност да се работи с по-ниски захранващи напрежения, дори при сравнително високи прагови напрежения на транзистора [8, 9, 10] и подобреното бързодействие, дължащо се на линейната характеристика на товара в инвертора.

 

Оригинално технологично решение е въвеждането на двуслойната система волфрам-злато (W-Au) като гейтов електрод и метални проводящи шини вместо алуминий (Al) [11, 12]. Използването на Al за гейтов електрод има недостатъци, свързани с неговата химическа и термодинамична нестабилност, взаимодействието му с тънкия гейтов окис, несъвместимост при бондиране със златна нишка. Тези недостатъци се избягват при двуслойната система волфрам-злато (W-Au) и се постига химически и температурно устойчива метализация с малко листово съпротивление и добра адхезия, поради присъствието на волфрам под златото. Използването на волфрам, който има голяма отделителна работа, позволява да се постигне по-ниско прагово напрежение дори при по-голяма дебелина на гейтовия окис (170 nm).

 

Изброените научни приноси са най-съществените фактори за създаване на оригинална българска технология за производство на МОС интегрални схеми [13]. С нея са реализирани в опитното производство на ЦИЕ голям брой оригинални схеми с малка и средна степен на интеграция. МОС интегрални схеми с малка степен на интеграция са разработени в серия УНИМОС, която включва схеми с логическите функции: NOR, NAND, OR, NOR, шифт регистри (SR), тригери, декодери и едностъпална и двустъпална логическа матрица, на които информацията се записва с маска. Предназначението на тези схеми е да се реализират електронни калкулатори от нова генерация.

 

[8] Касабов, Й. (1970) Метод за получаване на високоомни дифузионни микрорезистори, авторско свидетелство № 1635 от 14.01.1970 г. 

 

[9] Касабов, Й. (1972) МОС ИС с микрорезистори. B: Cборник от „Първа национална конференция по полупроводникова електроника – Ботевград“, октомври, т. 1. 

 

[10] Kasabov, J. (1973) Physical characteristics of high-resistivity microresistors on silicon substrate. In: Comptes redus de l’ Academie bulgare des Sciences (Доклади на БАН), vol. 26, 2, p. 163.

 

[11] Kasabov, J. (1972) MOST and MOS IC with low threshold voltage by means of the W-Al metal system. In: Comptes redus de l’ Academie bulgare des Sciences (Доклади на БАН), vol. 25, 12, p. 102.

 

[12] Касабов, Й., Стоева, Р., Георгиев, В. (1972) Двуслойни системи за МОС ИС с високотемпературни метали и злато. B: Cборник от „Първа национална конференция по полупроводникова електроника – Ботевград“, октомври, том 1. 

 

[13] Касабов, Й. (1973) Дисертационен труд „Върху някои проблеми на МОС транзистори и МОС интегрални схеми“ за научната степен „доктор на физическите науки“.

 

[checha 410]

1 час назад, RCgoff сказал:

Со ссылками на оригинальные публикации (эх, посмотреть бы их)

 

Как я Вас понимаю!

 

Благодарю за поправки моих неточностей. Надеюсь, сути они не меняют.

 

И ещё один "кирпичик в здание правды",  ниже публикую.

 

 

 

[RCgoff 6]

checha,

1)а вы можете выложить документы по 24-70 (то, что в статье на фотографиях 27..32) в более полном объеме?

 

2)Очень интересно было прочесть про К142ЕН1 и МОП транзисторы в ней. Даже сверил по фотографиям кристалла.

Получается, эта схема довольно далека от ua723. Подальше, чем 140уд1 от ua702

[lalka 275]

12 часов назад, RCgoff сказал:

Очень интересно было прочесть про К142ЕН1 и МОП транзисторы в ней.

А что такого в МОП транзисторах в составе банальной ЕНки? Тем более что она появилась уже где-то в начале 70-ых вроде как, когда полевики у нас уже были массово освоены.

[checha 410]

19 часов назад, RCgoff сказал:

1)а вы можете выложить документы по 24-70 (то, что в статье на фотографиях 27..32) в более полном объеме?

 

Для раскрытия темы это всё, что было возможно. Остальное имеет другую тематику.

Копирование вообще всего, что может представлять интерес очень накладно для меня. Желающих разделить это бремя пока не нашлось.

19 часов назад, RCgoff сказал:

Очень интересно было прочесть про К142ЕН1 и МОП транзисторы в ней

 Мне тоже детали не известны. Пока документы рассказывающие по первым стабилизаторам

недоступны. Очень немного добавлю чуть позже.

[checha 410]

7 часов назад, lalka сказал:

А что такого в МОП транзисторах в составе банальной ЕНки?

 

С моей точки зрения, это начало истории по технологическому освоению БИС на МОП транзисторах. Оно вроде странно, конечно, с учётом разработок схем малой степени интеграции по этой технологии, начавшиеся у нас с 1967 года.

Есть один любопытный факт - название тем по разработке стабилизаторов в КБПМ и СБИС в КНИИМП одинаково.

Но КБПМ передала все наработки на Томилинский завод в 1970 году, тема изменилась на "Енисей"  и..... в КНИИМП.

Так что, Александр, вот поэтому и интересно создание первых стабилизаторов для меня. К великому сожалению, всё что связано с деятельностью КБПМ тайна за семью печатями. На данный момент.

[checha 410]

В 05.11.2023 в 20:14, Виктор сказал:

Микросхемы советские.)))

 

К тому-же халявные. Почти.

А как ещё сохранить было интерес соцстран к "Большому брату". Только бесплатным хлебом, ну, или с помощью танков. Второе как то не принято было.

[checha 410]

23 часа назад, RCgoff сказал:

У них были диффузные резисторы в нагрузке инвертора

 

Небольшая деталь. Американцы запатентовали нагрузочный МОП транзистор в 1968 году. Заявка подана в 1965 году.

Технологии изготовления диффузионных резисторов, тогда, и МОП транзисторов очень похожи были.

Я к чему это. Обозвав другим словом туже технологию и внеся незначительное (может) изменение можно было выходить на внешний рынок. Как вариант - это и послужило причиной сотрудничества. Понятно, были и другие причины.

US3395291.pdf

[RCgoff 6]

48 минут назад, checha сказал:

Для раскрытия темы это всё, что было возможно. Остальное имеет другую тематику.

Копирование вообще всего, что может представлять интерес очень накладно для меня. Желающих разделить это бремя пока не нашлось.

Жаль, на 27 фото обрывается на полслове, даже не вошло, за что должно было отвечать ЛКБ (в тексте статьи, конечно, есть).

На копирование этого приказа и других по калькуляторам готов скинуться

[checha 410]

Только что, RCgoff сказал:

На копирование этого приказа и других

 

Огорчу. Расходы состоят не только из чистого копирования. Но и проезда, питания, и проживания в гостинице. Как минимум - неделя. При хорошем стечении обстоятельств.

Для тех, кто работал в архивах, по любой теме, не будет удивлением, если скажу, что заказанные документы не находятся к оговорённому сроку или не выдаются без объяснения причин. У меня такое было.

И в других городах тоже. Ждите лета, пойду в отпуск, тогда вернёмся к этому разговору.

[RCgoff 6]

24 минуты назад, checha сказал:

Технологии изготовления диффузионных резисторов, тогда, и МОП транзисторов очень похожи были.

Я так понимаю, что обычный диффузионный резистор занимает большУю площадь (больше транзистора). И резистору не нужен тонкий слой поздатворного диэлектрика и высокие требования к поверхности. Возможно, Касабов придумал, как сделать размеры резистора меньше?

Выше я цитировал, что 

В 07.11.2023 в 10:51, RCgoff сказал:

високоомен дифузионен микрорезистор е компромисен вариант, позволяващ намаляване с повече от два пъти площта на областите с гейтов диелектрик

Получается, что с обычным резистором можно сократить в два раза площадь подзатворного диэлектрика (т.к. самих транзисторов становится в два раза меньше?), тем самым повысить выход годных.

Но для динамических схем, типа того патента, что checha привел, резистивная нагрузка не годится уже

 

 

P.S.

checha, вам знакома книжка R.Knox Bassett "To the digital age" - по истории МОП электроники на западе?

[checha 410]

Только что, RCgoff сказал:

вам знакома книжка R.Knox Bassett "To the digital age"

 

К своему стыду - нет. Любопытно - там другая версия появления МОП схем  в Америке?

 

Да, пока не забыл

 

Только что, RCgoff сказал:

Возможно, Касабов придумал, как сделать размеры резистора меньше?

 

Возможно. Материалов в сети по ссылке "диффузионные резисторы" полно. Фамилии Касабов не встречал. Может, не повезло.

[checha 410]

небольшая иллюстрация к роди КБПМ в истории с МОП схемами.

 

 

[checha 410]

Нашёл в сети случайно ОСТ на маркировочные краски (чернила ?). Подумал - вдруг кому полезен будет.

 

 

OST_1_90210-85.pdf