Leaderboard

Вакуумированный фоторезистор это, скорее всего. Встречал такие на ебэе. Вот практически такая же: Фоторезистор GE 7427 По остаткам маркировки похожа на VALVO

Диодная сборка (вроде ГДР) с 6 выводами (цоколевка указана на корпусе). Диоды кремниевые (судя по падению в 0,774 Вольта)

Быть может по М-11, М-11А, М-10Б опечатка ? Наибольшее напряжение коллектора указано со знаком +, как у транзисторов n-p-n .

По Старосу и 111 серии. - откуда информация? Первоисточник бы почитать., особенно удивляет о создании в "середине 60-х" Мои соображения о невозможности такого события ниже. В хронологическом порядке. В 1965 году опытный завод НИИПЭ выпустил 150000 штук Кт319 приборов, по планарной технологии. ОКР "МИГ-1" была сдана комиссии Главным конструктором темы "Элемент-УК" Данилиным (ЛКБ) в 4 кв. 1965 года. В 1967 году, за 3 квартала с начала года., НИИМЭ (на Компоненте?) изготовил 180000 изделий "Микроватт" В июне 1967 года в ЛКБ Главный конструктор темы по ОКР "Роса" Харинский сдал гибридную микросхему с резервированием логических элементов "ТИС", с повышенной плотностью размещения элементов, встречается и другое название "МИГ-2" По Постановлению Правительства СССР, в 1972 году два объединения, Светлана и Интеграл приступили к освоению новых изделий, - а именно бескорпусной микросхемы типа 1ЛБ111А и Б. К чему я приплёл Кт319 и НИИПЭ? До 1968 года оборудование для производства кремниевых приборов с использованием планарной серийной технологии было только там и в НИИМЭ (На Компоненте?). Андрей! Каждое предложение в вышесказанном имеет документальные подтверждения. Скудные, правда. В этой связи, в этой истории- как Вы видите роль ЛКБ в создании 111 серии? Какой конкретный вопрос вносит разлад в понимание того, что Старос вообще не имел никакого отношения к созданию 111 серии? Уместно будет заметить, что темы этого периода , разрабатываемые в ЛКБ (1964-1967) известны. Там нет ничего, что бы могло касаться 111 серии и вообще работам по планарной технологии. Также отмечу, что в рамках работ по созданию и освоению технологий по тонким плёнкам (или толстым, не помню) в ЛКБ пытались разрабатывать так называемые "печатные полупроводники". Детали этого мне не удалось выяснить, но технология попыток создания транзисторов напылением плёнок на подложку создавалась. Результаты мне не известны. Известен финансовый результат работы ЛКБ к моменту его ликвидации. Там, не помню точные цифры (они есть) примерно, вложено 65 млн, за 10 лет, отдача - 9 млн. Это ни к чему, для информации. В ожидании вопросов и замечаний.